聯電:力旺導入28奈米製程,合攻OLED市場

聯電(2303)今(20)日表示,力旺電子一次可編程(OTP)記憶體矽智財NeoFuse已成功導入聯電28奈米高壓(HV)製程,強攻有機發光二極體(OLED)市場,關鍵客戶已經完成設計定案(Tape Out)並準備量產。
聯電矽智財研發暨設計支援處處長林子惠表示,力旺NeoFuse矽智財與聯電28奈米高壓製程的合作,使雙方的客戶得以客製化IC以符合OLED市場的高規需求。他補充,不管是之前的55奈米、40奈米到現在的28奈米高壓製程,聯電與力旺的合作成果都是非常正面的,客戶在各種顯示器應用市場大有斬獲,其中包括OLED市場。

高階手機配備OLED顯示器已然成為趨勢,對小尺寸顯示器驅動晶片(SDDI)效能要求更高,在製程平台上,OLED關鍵客戶逐漸從55奈米或40奈米往更先進的28奈米高壓製程靠攏28奈米高壓製程可使高效能顯示器引擎的複雜運算能力發揮最大功能,提供OLED顯示器驅動晶片更快的資料存取速度,更高容量的靜態隨機存取記憶體(SRAM)及更好的功耗,同時達到高畫質與省電的目的。
聯電在2019年的小尺寸顯示器驅動晶片(SDDI)量產晶圓出貨量為全球之冠,其28奈米後閘式(Gate-Last)HKMG製程,可以提升行動裝置的電池壽命,以此為基礎,其28奈米高壓製程提供業界最小的靜態隨機存取記憶體(SRAM)記憶單位(Bit-cell)以減少晶片整體面積。

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