資策會:電動車碳化矽元件交期達42週 美日歐主導

資策會MIC預估,今年全球電動車規模可到922.1萬輛,年成長逾48%,關鍵第三代半導體碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)供應吃緊,交期仍在42週以上,SiC供應鏈仍由美、日、歐盟等企業主導。

資策會產業情報研究所(MIC)15日到27日舉行「35th MIC FORUM Spring韌力」線上研討會。

展望今年全球電動車市況,資策會MIC資深產業分析師何心宇指出,俄羅斯與烏克蘭戰爭、中國大陸COVID-19疫情封城等短期不確定因素干擾,加上通膨排擠消費,電動車漲價趨勢持續,對銷量有一定影響,不過主要車廠優先保障電動車製造供應,預估今年全球電動車規模可到922.1萬輛,較去年622.3萬輛成長48%以上,2023年可突破千萬輛、達到1370萬輛。

觀察電動車車用晶片製程,MIC指出,車用晶片以成熟製程40奈米以上為主,其中傳統整車廠燃油車車用晶片製程約70%比重在40奈米至45奈米、25%為45奈米以上;至於電動車車用晶片製程45%以40奈米至45奈米為主、5%為45奈米以上。

何心宇表示,電動車帶動高階功率半導體包括第三代半導體碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)需求,目前SiC/GaN和車用金氧半場效電晶體(MOSFET)供應持續吃緊,交期仍在42週以上。

MIC指出,電動車帶動SiC功率半導體元件與模組需求,預估到2025年,全球20%比重的電動車將具備SiC功率元件和模組。

何心宇分析,未來SiC元件和模組成長驅動力包括應用在電動車主逆變器、車載充電OBC(On Board Charger),越來越多採用相關設計的新款電動車,將在今年下半年量產或交車;此外,SiC元件價格下降可帶動BOM(Bill of Material,物料清單)成本降低達到經濟效益;而800V和1200V架構電動車,SiC元件模組較車用絕緣閘雙極電晶體(IGBT)模組性能佳。

不過觀察全球大廠布局,MIC指出,全球SiC產業仍由美、日、歐盟等企業主導,其中美國Wolfspeed已實現4 吋、6吋產線量產,並開始建設8吋產線,Wolfspeed、日本Showa Denko雙寡占SiC磊晶市場。

至於在關鍵的SiC基板,MIC表示,導電型基板包括Wolfspeed、羅姆(ROHM)與意法半導體(STM)具有SiC全產業鏈生產能力;半絕緣型基板包括Wolfspeed、Showa Denko、ROHM、Qorvo、安森美(Onsemi)與恩智浦(NXP)具全產業鏈生產能力。

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