英特爾公布新節點命名方式 揭曉製程與封裝路線規劃

英特爾公司今日揭露製程與封裝技術的最新規劃,重新命名了製程節點。

英特爾表示,產業已意識到目前以奈米為基礎的製程節點命名方式,並不符合自 1997 年起採用閘極長度為準的傳統。英特爾今日公布其製程節點全新的命名結構,創造具備一致性的架構,給予客戶更為精確的製程節點認知。英特爾執行長基辛格(Pat Gelsinger)表示,今天所揭曉的各種創新,不僅開展了英特爾的產品路線規劃,它們對於晶圓代工的客戶也相當重要。



英特爾技術專家以新的節點命名方式,詳述下列未來製程與效能藍圖規劃,以及各節點所具備技術:

Intel 7:植基於 FinFET(鰭式場效電晶體)最佳化,相較 Intel 10nm SuperFin 每瓦效能可提升大約10%~15%。Intel 7 將會使用在 2021 年的 Alder Lake 用戶端產品,以及 2022 年第一季量產的 Sapphire Rapids 資料中心產品。

Intel 4:全面使用極紫外光(EUV)微影技術,透過超短波長的光,印製極小的形狀。伴隨每瓦效能提升約 20%,以及面積改進,Intel 4 將於 2022 下半年準備量產,2023 年開始出貨,client 用戶端Meteor Lake 和資料中心 Granite Rapids 將率先採用。

Intel 3:Intel 3 相較 Intel 4 約能夠提供 18% 的每瓦效能成長幅度。Intel 3 將於 2023 下半年準備開始生產。

Intel 20A:以 RibbonFET 和 PowerVia 這 2 個技術開創埃米(angstrom)時代。RibbonFET 為英特爾環繞式閘極(Gate All Around)電晶體的實作成果,亦將是自 2011 年推出 FinFET 後,首次全新電晶體架構。此技術於較小的面積當中堆疊多個鰭片,於相同的驅動電流提供更快的電晶體開關速度。PowerVia 為英特爾獨特的背部供電,藉由移除晶圓正面供電所需迴路,以達最佳化訊號傳遞工作。Intel 20A 預計將於 2024 年逐步量產。英特爾也很高興公布 Qualcomm 將採用 Intel 20A 製程技術。

2025 與未來:Intel 20A 之後,改良自 RibbonFET 的 Intel 18A 已進入開發階段,預計於 2025 年初問世。

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