東芝推出有助於提高工業設備效率和小型化的碳化矽MOSFET模組

東京--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,簡稱「東芝」)推出了一款針對工業應用的碳化矽(SiC) MOSFET模組——MG800FXF2YMS3,該模組整合了新開發的雙通道SiC MOSFET晶片,額定電壓和電流分別為3300V和800A。該產品將於2021年5月投入量產。

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為達到175℃的通道溫度,這款新產品採用具有銀燒結內部接合技術和高黏著相容性的iXPLV(智慧軟性封裝低電壓)封裝。新模組可充分滿足軌道車輛和可再生能源發電系統等工業應用對高效率精簡型設備的需求。

應用

•用於軌道車輛的逆變器和轉換器•可再生能源發電系統 •工業電機控制設備

特性

•漏源額定電壓:VDSS=3300V •漏極額定電流:ID=800A雙通道•寬通道溫度範圍:Tch=175°C •低損耗: Eon=250mJ (典型值)Eoff=240mJ (典型值)VDS(on)sense=1.6V (典型值) •低雜散電感:Ls=12nH (典型值) •高功率密度的小型iXPLV封裝

主要規格

(除非另有說明, Tc=25°C時)

元件型號 MG800FXF2YMS3

封裝 iXPLV 額定最大絕對值 漏源電壓VDSS (V) 3300 柵源電壓VGSS (V)+25/-10 漏極電流(DC) ID (A) 800 漏極電流(脈衝)IDP (A) 1600 通道溫度Tch (°C) 175 隔離電壓Visol (Vrms) 6000 電氣特性漏源電壓導通電壓(感應) VDS(on)sense典型值(V) VGS=+20V, ID=800A 時1.6 源漏電壓導通電壓(感應) VSD(on)sense典型值(V) VGS=+20V, Is=800A時 1.5 源漏電壓關斷電壓(感應) VSD(off)sense典型值(V) VGS=-6V, Is=800A 時2.3 雜散電感模組LSPN 典型值(nH) 12 導通開關損耗 Eon典型值(mJ) VDD=1800V,ID=800A,Tch=150°C時 250 關斷開關損耗 Eoff典型值(mJ) VDD=1800V,ID=800A,Tch=150°C時 240

如需瞭解有關新產品的更多資訊,請按以下連結。 MG800FXF2YMS3 https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=MG800FXF2YMS3

如需瞭解有關東芝SiC功率元件產品的更多資訊,請按以下連結。 SiC功率元件https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/sic-power-devices.html

客戶詢問:小型訊號元件銷售與市場部 電話:+81-3-3457-3411 https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

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