鎧俠宣布擴建橫濱科技園區並新建研究中心,加強研究和技術開發並促進開放創新

東京--(美國商業資訊)--全球記憶體解決方案領導者鎧俠株式會社(Kioxia Corporation)今天宣布投資200億日圓,用於擴建其橫濱科技園區的技術開發大廈,並建立新的新子安先進研究中心(Shin-Koyasu Advanced Research Center)。新設施預計將於2023年投入營運,將透過集中鎧俠在神奈川縣的研發據點來加強公司的研究和技術開發,以提升效率,並透過合作創造更有利於創新的工作環境。

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在橫濱科技園區,擴建後的技術開發大廈將使現有設施的空間增加近一倍,使鎧俠能夠擴大其產品評估能力,進而提高產品品質。擴建後的設施還將為規模壯大的員工團隊提供空間,以加強未來的產品開發。新大廈將採用環保設計和高效率節能設備。

新子安先進研究中心將設無塵室,用於廣泛研究,特別是側重於材料和新製程研究。

透過投資這些設施,鎧俠旨在加強其快閃記憶體和固態硬碟(SSD)技術開發能力,以滿足全球日益增長的需求,並打造能夠創造新價值的創新型記憶體技術和產品。

以「儲存」協助世界發展為使命的鎧俠專注於開創記憶體的新時代。鎧俠始終致力於透過資本投資和反映市場趨勢的研發,提高其在記憶體和固態硬碟產業的地位。

橫濱科技園區技術開發大廈(暫定名稱)

地址:Kasama 2-chome, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture 建築規模:6層總建築面積:約4萬平方公尺計畫開工時間:2021年秋季計畫竣工時間:2023年夏季

新子安先進研究中心(暫定名稱)

地址:Moriya-cho 3-chome, Kanagawa-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture 建築規模:4層總建築面積:約1.3萬平方公尺計畫營運時間:2023年夏季

關於鎧俠

鎧俠(Kioxia)是記憶體解決方案的全球領導者,致力於開發、生產和銷售快閃記憶體及固態硬碟(SSD)。東芝於1987年發明了NAND快閃記憶體,2017年4月,鎧俠前身東芝記憶體(Toshiba Memory)從東芝分割。鎧俠致力於透過提供產品、服務和系統,為客戶創造選擇,為社會創造記憶體的價值,從而透過儲存技術協助世界發展。鎧俠創新的3D快閃記憶體技術BiCS FLASH™正在塑造諸多高密度應用的未來儲存方式,其中包括高階智慧手機、PC、SSD、汽車和資料中心。

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