技術領先同業 三星宣布量產3奈米晶片

韓國三星電子今天正式宣布開始量產3奈米晶片,領先台積電(2330)及英特爾等國際競爭對手,可提高晶片性能23%,縮小晶片面積16%。

韓聯社報導,三星電子今天正式宣布量產環繞閘極(GAA)架構的3奈米製程,於設有極紫外光(EUV)設備的華城園區S3產線投入生產。

三星電子說明,新上線的3奈米製程與三星電子既有的5奈米製程相比,用電可節約45%,性能提高23%,晶片面積縮小16%;明年預定導入的2世代GAA技術的3奈米製程將可進一步節約電力至50%,提高性能30%,縮小晶片面積35%等。

三星電子規劃先在高效能運算(HPC)用系統晶片導入3奈米製程,之後再擴大應用至系統單晶片(SoC)。

三星電子晶圓代工事業部長崔時英表示,三星電子藉由率先導入FinFET、EUV等晶圓代工新技術快速成長,這次應用GAA技術的3奈米製程也領先全球,「今後將積極開發(與其他業者)差別化的技術,構築快速提高製程成熟度的系統」。

根據研調機構集邦科技(TrendForce)統計,今年第一季全球晶圓代工市占率由台積電以53.6%高居第一,三星電子以16.3%位居第二。報導指出,三星電子可能希望藉這次率先推出3奈米製程,追上最大勁敵台積電。

在此之前,三星電子與台積電的最尖端製程皆為4奈米,台積電先前表示,將在今年下半年開始3奈米製程量產。三星電子繼這次3奈米製程投入量產後,規劃在2025年投入GAA架構的2奈米製程。

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