Toshiba推出TOLL封裝650V第三代SiC MOSFET

Toshiba推出TOLL封裝650V第三代SiC MOSFET

(中央社訊息服務20250829 12:19:12)- 三款新元件提升工業裝置效率與功率密度-

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")推出三款650V碳化矽(SiC)金氧半場效電晶體(MOSFET)，搭載最新[1]第三代SiC MOSFET晶片，並採用表面黏著TOLL封裝。這些新元件適用於工業裝置，如開關式電源和用於太陽能光電發電機的功率調節器。「TW027U65C」、「TW048U65C」和「TW083U65C」這三款MOSFET即日起開始批量出貨。

本新聞稿包含多媒體資訊。完整新聞稿請見此： https://www.businesswire.com/news/home/20250827413103/zh-HK/

新產品是Toshiba第三代SiC MOSFET中採用通用表面黏著TOLL封裝的型號，相較TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封裝，元件體積減少80%以上，裝置功率密度也得以改善。

TOLL封裝還具有比通孔封裝更低的寄生阻抗[2]，有助於降低開關損耗。其為四端子[3]封裝，可將開爾文連接用作閘極驅動的訊號源端子。這可以減少封裝內的源極引線電感的影響，實現高速開關效能；以TW048U65C為例，其開通損耗和關斷損耗分別比現有Toshiba產品[5]降低約55%和25%[4]，有助於降低裝置功率損耗。

Toshiba將繼續擴充產品陣容，為提升裝置效率和增加功率容量貢獻力量。

註：[1]截至2025年8月。 [2]電阻、電感等。 [3]具有靠近FET晶片連接的訊號源端子的產品。 [4]截至2025年8月，Toshiba測量值。詳情請參見Toshiba網站發表版本中的圖1。[5]採用無開爾文連接TO-247封裝的具有同等電壓和導通電阻的650V第三代SiC MOSFET。

應用領域

•伺服器、資料中心、通訊裝置等的開關式電源 •電動汽車充電站•太陽能光電逆變器 •不斷電系統

產品特點

•表面黏著TOLL封裝：支援裝置小型化與自動化組裝。開關損耗低。•Toshiba第三代SiC MOSFET：- 最佳化漂移電阻與溝道電阻比，實現漏源導通電阻良好的溫度相依性。 - 低漏源導通電阻×柵漏電荷積- 低二極體正向電壓：VDSF=-1.35V（典型值）(VGS=-5V)

* 公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。

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關於Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先進半導體和儲存解決方案的領先供應商，憑藉半個多世紀的經驗和創新，為客戶和業務合作夥伴提供卓越的分立半導體、系統LSI和HDD產品。

公司在全球的19,400名員工致力於充分提高產品價值，並促進與客戶的密切合作，共同創造價值和開拓新市場。公司期待為世界各地的人們建設更美好的未來並貢獻力量。

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