日本2奈米晶片大躍進！Rapidus啟動GAA電晶體試作 目標2027年量產

Rapidus近日宣布其2奈米環繞式閘極（GAA）電晶體，已在北海道千歲市的「創新整合製造（IIM-1）」晶圓廠啟動原型試作。記者孫敬／編譯

日本半導體國家隊Rapidus，這家專注於先進邏輯半導體製造的企業，近日宣布其2奈米環繞式閘極（GAA）電晶體，已在北海道千歲市的「創新整合製造（IIM-1）」晶圓廠啟動原型試作。隨著首批晶圓開始進行電性特徵量測，這也象徵著日本在先進半導體製程發展上，邁出了關鍵性的一大步。

延伸閱讀：台積電全球擴廠策略調整？亞利桑那衝刺趕進度 日德生產基地時程恐延宕

[caption id="attachment_183386" align="aligncenter" width="1024"]

Rapidus的2奈米環繞式閘極（GAA）電晶體矽晶圓原型。（圖／Rapdis）[/caption]

IIM-1新典範：全單晶圓與EUV技術雙箭齊發

Rapidus的IIM-1晶圓廠代表著對傳統晶圓代工模式的重大突破，該公司正透過尖端技術，重新定義半導體工廠如何即時思考、學習、適應並優化生產流程，其中包括兩大關鍵技術：

全面導入「全單晶圓前段製程」： 在單晶圓製程中，可以針對單一片晶圓進行調整與檢測，若成功，便能將調整後的參數應用於所有後續的晶圓。單晶圓製程能捕捉到更多數據，進而訓練AI模型以優化晶圓生產並提升良率。Rapidus宣稱，他們是首批將全面單晶圓製程商業化的公司之一，這也是其「快速與統一製造服務（Rapid and Unified Manufacturing Service, RUMs）」的核心理念。

極紫外光（EUV）微影技術： EUV微影技術是實現2奈米半導體的關鍵技術之一。先進的微影製程對於2奈米世代的GAA結構至關重要。Rapidus不僅是日本首家安裝先進EUV設備的公司，更在2025年4月1日，也就是設備於2024年12月交付約三個月後，便成功完成了EUV曝光測試，展現其技術推進的速度與效率。

在不到三年的時間裡，Rapidus已經達成IIM-1廠的階段性目標，從2023年9月的破土動工，到2024年潔淨室完工，以及2025年6月全球超過200台最先進半導體設備的連接上線，這些成就，皆與今日宣布的2奈米GAA電晶體原型試作與電性特徵量測相輔相成。

Rapidus正積極開發與IIM-1廠2奈米製程相容的「製程開發套件（Process Development Kit, PDK）」，並計畫在2026年第一季率先提供給合作客戶，同時準備讓客戶能自行啟動原型試作的環境，目標在2027年正式開始量產2奈米晶片。

資料來源：Rapidus、PR Newswire

這篇文章 日本2奈米晶片大躍進！Rapidus啟動GAA電晶體試作 目標2027年量產 最早出現於 科技島-掌握科技新聞、科技職場最新資訊。