Kioxia與Sandisk揭示下一代3D快閃記憶體技術，實現4.8Gb/s NAND介面速度
Kioxia與Sandisk揭示下一代3D快閃記憶體技術，實現4.8Gb/s NAND介面速度
(中央社訊息服務20250221 11:49:38)兩家公司預覽第10 代3D快閃記憶體技術，為效能、電力效率與位元密度設立新標竿 舊金山--(美國商業資訊)-- Kioxia Corporation與Sandisk Corporation率先推出尖端的3D快閃記憶體技術，並以每秒4.8Gb的NAND介面速度、卓越的電源效率和更高的密度，為業界樹立了新標竿。本新聞稿包含多媒體資訊。完整新聞稿請見此： https://www.businesswire.com/news/home/20250219180666/zh-HK/這項全新的3D快閃記憶體創新技術在2025年的ISSCC展會上亮相，結合了公司革命性的CBA（CMOS直接與陣列綁定）技術1，並採用了最新的介面標準——Toggle DDR6.0，這是針對NAND快閃記憶體的最新規範。此技術還採用了SCA（分離指令位址）協定2（一種新型的指令位址輸入方式），並搭配PI-LTT（電力隔離低接觸終端）技術3，有助於進一步降低功耗。 透過這項獨特的高速技術，兩家公司預期新一代3D快閃記憶體將比目前大規模生產的第8 代3D快閃記憶體，實現33%的NAND介面速度提升，達到4.8Gb/s的介面速度。該技術還能提供增強的資料輸入/輸出功率效率，將輸入功耗降低10%，輸出功耗降低34%，從而實現高效能與低功耗的平衡。展望第10 代3D快閃記憶體，兩家公司詳細說明，藉由將記憶體層數增加至332層，並優化佈局以提高平面密度，該技術可將位元密度提升59%。 Kioxia技術長Hideshi Miyajima表示：「隨著人工智慧技術的普及，預計產生的數據量將顯著增加，現代資料中心對於提高功率效率的需求也將隨之增長。Kioxia堅信，這項新技術將使未來的儲存解決方案產品，包括SSD，具備更大的容量、更高的速度和更低的功耗，並為人工智慧的發展奠定基礎。」 Sandisk全球策略與技術高級副總裁Alper Ilkbahar表示：「隨著人工智慧的進步，客戶對記憶體的需求變得愈加多樣化。透過我們CBA技術創新，我們的目標是推出能在容量、速度、效能與資本效率方面達到最佳平衡的產品，以滿足各市場領域的客戶需求。」 Kioxia和Sandisk 也分享了即將推出的第9 代3D快閃記憶體的計畫。得益於他們獨特的CBA技術，這兩家公司能夠將新型CMOS技術與現有的記憶體單元技術結合，從而推出具有資本效率、高效能且低功耗的產品。兩家公司仍然致力於開發尖端的快閃記憶體技術，提供量身定制的解決方案以滿足客戶需求，並為數位社會的進步做出貢獻。關於 Kioxia Kioxia是全球記憶體解決方案領域的領軍企業，致力於快閃記憶體和固態硬碟(SSD)的開發、生產和銷售。其前身是Toshiba Memory，於2017年4月從1987年發明了NAND快閃記憶體的公司Toshiba Corporation脫售而出。Kioxia致力於透過提供產品、服務和系統來為客戶創造選擇，並為社會創造以儲存技術為基礎的價值，從而提升世界的「記憶」。Kioxia創新的3D快閃記憶體技術BiCS FLASH™正在塑造儲存技術在高密度應用領域（包括高階智慧型手機、PC、汽車系統、資料中心和生成式AI系統）的未來。關於Sandisk Sandisk提供創新的快閃記憶體解決方案與先進記憶體技術，使人們和企業得以與理想交會，滿足其需求並持續推進、拓展各種可能性。Sandisk Corporation為Western Digital（NASDAQ: WDC）的全資子公司。歡迎於Instagram、Facebook、X、LinkedIn、Youtube上追蹤Sandisk，或在Instagram上加入TeamSandisk。每個CMOS晶圓和記憶體單元陣列晶圓分別在其最佳化的條件下製造，然後結合在一起的一種技術。命令/地址輸入匯流排與資料傳輸匯流排完全分離為不同匯流排，並平行使用的技術。這可縮短資料輸入/輸出時間。 NAND介面電源採用現有的1.2V電源和其他較低電壓的技術。這可減少資料輸入/輸出時的耗電量。 * 1Gbps以1,000,000,000位元/秒來計算。這個數值是根據我們特定的測試環境得出的，實際數值可能會依使用條件有所不同。* 公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是第三方公司的商標。前瞻性聲明 本新聞稿包含根據美國聯邦證券法定義的前瞻性聲明，這些聲明包括關於 Sandisk 技術和產品的可用性、功能和影響的預期。這些前瞻性聲明是基於管理層目前的預期，並且受風險和不確定性的影響，這些風險和不確定性可能導致實際結果與前瞻性聲明中表達或暗示的結果有重大差異。可能導致實際結果與前瞻性聲明中表達或暗示的結果有重大差異的主要風險和不確定性包括：執行Western Digital Corporation快閃記憶體業務分拆到Sandisk所涉及的操作、財務和法律挑戰與困難；獨立運營的快閃記憶體業務的未來營運結果；分拆是否能按照預期的條件、預定的時間表或根本完成，包括可能無法滿足分拆條件的情況，政府機構可能禁止、延遲或拒絕授予必要的批准；分拆的預期效益和成本，包括預期效益是否會在預定時間內、完全或完全實現；由於分拆的宣布和完成而可能對客戶、供應商或其他合作夥伴關係產生不利反應或變化；競爭者對分拆宣布或完成的回應；由於分拆所產生的意外成本、負債、費用或支出；與分拆相關的訴訟；由於分拆無法保留關鍵人員，管理層的時間被業務運營中斷；地緣政治衝突的商業影響；以及一般經濟或行業特定條件的變化；可能影響分拆的其他經濟、競爭、法律、政府、技術等因素，以及在2025年1月27日提交給美國證券交易委員會（SEC）的Sandisk Corporation Form 10註冊聲明書中附上的最終信息聲明（Exhibit 99.1）所列出的其他風險和不確定性，該聲明可以在SEC 網站（www.sec.gov）上查閱。您不應過度依賴這些前瞻性聲明，這些聲明僅代表本報告發布當日的情況，除法律要求外，Sandisk不承擔對這些前瞻性聲明進行更新或修訂，以反映新資訊或事件的任何義務。 免責聲明：本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用，煩請參照原文，原文版本乃唯一具法律效力之版本。
(中央社訊息服務20250221 11:49:38)兩家公司預覽第10 代3D快閃記憶體技術，為效能、電力效率與位元密度設立新標竿 舊金山--(美國商業資訊)-- Kioxia Corporation與Sandisk Corporation率先推出尖端的3D快閃記憶體技術，並以每秒4.8Gb的NAND介面速度、卓越的電源效率和更高的密度，為業界樹立了新標竿。本新聞稿包含多媒體資訊。完整新聞稿請見此： https://www.businesswire.com/news/home/20250219180666/zh-HK/這項全新的3D快閃記憶體創新技術在2025年的ISSCC展會上亮相，結合了公司革命性的CBA（CMOS直接與陣列綁定）技術1，並採用了最新的介面標準——Toggle DDR6.0，這是針對NAND快閃記憶體的最新規範。此技術還採用了SCA（分離指令位址）協定2（一種新型的指令位址輸入方式），並搭配PI-LTT（電力隔離低接觸終端）技術3，有助於進一步降低功耗。 透過這項獨特的高速技術，兩家公司預期新一代3D快閃記憶體將比目前大規模生產的第8 代3D快閃記憶體，實現33%的NAND介面速度提升，達到4.8Gb/s的介面速度。該技術還能提供增強的資料輸入/輸出功率效率，將輸入功耗降低10%，輸出功耗降低34%，從而實現高效能與低功耗的平衡。展望第10 代3D快閃記憶體，兩家公司詳細說明，藉由將記憶體層數增加至332層，並優化佈局以提高平面密度，該技術可將位元密度提升59%。 Kioxia技術長Hideshi Miyajima表示：「隨著人工智慧技術的普及，預計產生的數據量將顯著增加，現代資料中心對於提高功率效率的需求也將隨之增長。Kioxia堅信，這項新技術將使未來的儲存解決方案產品，包括SSD，具備更大的容量、更高的速度和更低的功耗，並為人工智慧的發展奠定基礎。」 Sandisk全球策略與技術高級副總裁Alper Ilkbahar表示：「隨著人工智慧的進步，客戶對記憶體的需求變得愈加多樣化。透過我們CBA技術創新，我們的目標是推出能在容量、速度、效能與資本效率方面達到最佳平衡的產品，以滿足各市場領域的客戶需求。」 Kioxia和Sandisk 也分享了即將推出的第9 代3D快閃記憶體的計畫。得益於他們獨特的CBA技術，這兩家公司能夠將新型CMOS技術與現有的記憶體單元技術結合，從而推出具有資本效率、高效能且低功耗的產品。兩家公司仍然致力於開發尖端的快閃記憶體技術，提供量身定制的解決方案以滿足客戶需求，並為數位社會的進步做出貢獻。關於 Kioxia Kioxia是全球記憶體解決方案領域的領軍企業，致力於快閃記憶體和固態硬碟(SSD)的開發、生產和銷售。其前身是Toshiba Memory，於2017年4月從1987年發明了NAND快閃記憶體的公司Toshiba Corporation脫售而出。Kioxia致力於透過提供產品、服務和系統來為客戶創造選擇，並為社會創造以儲存技術為基礎的價值，從而提升世界的「記憶」。Kioxia創新的3D快閃記憶體技術BiCS FLASH™正在塑造儲存技術在高密度應用領域（包括高階智慧型手機、PC、汽車系統、資料中心和生成式AI系統）的未來。關於Sandisk Sandisk提供創新的快閃記憶體解決方案與先進記憶體技術，使人們和企業得以與理想交會，滿足其需求並持續推進、拓展各種可能性。Sandisk Corporation為Western Digital（NASDAQ: WDC）的全資子公司。歡迎於Instagram、Facebook、X、LinkedIn、Youtube上追蹤Sandisk，或在Instagram上加入TeamSandisk。每個CMOS晶圓和記憶體單元陣列晶圓分別在其最佳化的條件下製造，然後結合在一起的一種技術。命令/地址輸入匯流排與資料傳輸匯流排完全分離為不同匯流排，並平行使用的技術。這可縮短資料輸入/輸出時間。 NAND介面電源採用現有的1.2V電源和其他較低電壓的技術。這可減少資料輸入/輸出時的耗電量。 * 1Gbps以1,000,000,000位元/秒來計算。這個數值是根據我們特定的測試環境得出的，實際數值可能會依使用條件有所不同。* 公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是第三方公司的商標。前瞻性聲明 本新聞稿包含根據美國聯邦證券法定義的前瞻性聲明，這些聲明包括關於 Sandisk 技術和產品的可用性、功能和影響的預期。這些前瞻性聲明是基於管理層目前的預期，並且受風險和不確定性的影響，這些風險和不確定性可能導致實際結果與前瞻性聲明中表達或暗示的結果有重大差異。可能導致實際結果與前瞻性聲明中表達或暗示的結果有重大差異的主要風險和不確定性包括：執行Western Digital Corporation快閃記憶體業務分拆到Sandisk所涉及的操作、財務和法律挑戰與困難；獨立運營的快閃記憶體業務的未來營運結果；分拆是否能按照預期的條件、預定的時間表或根本完成，包括可能無法滿足分拆條件的情況，政府機構可能禁止、延遲或拒絕授予必要的批准；分拆的預期效益和成本，包括預期效益是否會在預定時間內、完全或完全實現；由於分拆的宣布和完成而可能對客戶、供應商或其他合作夥伴關係產生不利反應或變化；競爭者對分拆宣布或完成的回應；由於分拆所產生的意外成本、負債、費用或支出；與分拆相關的訴訟；由於分拆無法保留關鍵人員，管理層的時間被業務運營中斷；地緣政治衝突的商業影響；以及一般經濟或行業特定條件的變化；可能影響分拆的其他經濟、競爭、法律、政府、技術等因素，以及在2025年1月27日提交給美國證券交易委員會（SEC）的Sandisk Corporation Form 10註冊聲明書中附上的最終信息聲明（Exhibit 99.1）所列出的其他風險和不確定性，該聲明可以在SEC 網站（www.sec.gov）上查閱。您不應過度依賴這些前瞻性聲明，這些聲明僅代表本報告發布當日的情況，除法律要求外，Sandisk不承擔對這些前瞻性聲明進行更新或修訂，以反映新資訊或事件的任何義務。 免責聲明：本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用，煩請參照原文，原文版本乃唯一具法律效力之版本。
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