SK海力士計劃持續投資103兆韓元，加速HBM市場競爭

南韓 SK 海力士近日宣布，打算到 2028 年投資 103 兆韓元 (約 2.4 台幣)，其中 80% 將用於高頻寬記憶體(HBM) 的研發和生產，三星跟美光(MU-US) 隨後也表示將加大對 HBM 的投資，尤其是三星打算將 2026 年 HBM 出貨量，達到去年產量的 13.8 倍，到 2028 年產量將進一步上升至 2023 年產量的 23.1 倍。

文／鉅亨網

南韓 SK 海力士近日宣布，打算到 2028 年投資 103 兆韓元 (約 2.4 台幣)，其中 80% 將用於高頻寬記憶體(HBM) 的研發和生產，三星跟美光(MU-US) 隨後也表示將加大對 HBM 的投資，尤其是三星打算將 2026 年 HBM 出貨量，達到去年產量的 13.8 倍，到 2028 年產量將進一步上升至 2023 年產量的 23.1 倍。

根據市場研究公司 TrendForce 數據，SK 海力士去年佔據全球 HBM 市場 53% 的市佔率，之後是三星的 38% 和美光的 9%。

在全球三大巨頭打得不可開交的同時，中國也正集中火力尋求突破，希望在 2026 年實現國產 HBM 量產。中國記憶體晶片大廠長鑫存儲與武漢新芯近日宣佈正建設 HBM 先進位造工廠，建成後預計每月可生產 3000 片 12 吋晶圓。長鑫存儲還跟封測大廠通富微電合作開發 HBM 樣品，並向潛在客戶展示樣品。

據瞭解，中國國內記憶體晶片大廠此時重點放在 HBM2，主要是為了規避 HBM3 中含有美國技術部分。此次集合國產記憶體晶片上下游廠商，意在集中技術和資源突破國產 HBM 量產。內部訊息顯示，目標是在 2026 年量產 HBM2.

為加快國產 HBM 的突破，近日長鑫存儲母公司睿力集成在上海投資 24 億美元 (約 727 億台幣) 建造一座先進封裝廠，據悉將主要專注於各種先進封裝技術，如用矽穿孔 (TSV) 互聯實現記憶體堆疊，預計將具備每月 3 萬件的封裝能力。該新廠預計 2026 年中投產。

一旦先進封裝廠建成，長鑫存儲將負責生產 HBM DRAM，而睿力集成則將其進行堆棧，快速實現產能的擴充。

AI 晶片能力三個基礎部件分別為 GPU、先進製程 (含 CoWoS 先進封裝) 及 HBM。相比其他兩大部件，中國國產 HBM 處於「人有我無」的狀態，但整個國產 HBM 產業鏈處於蓄力過程之中。目前參與全球 HBM 產業鏈的主要是材料和封測廠。CoWoS 為目前主流 AI 晶片封裝方案。

目前，中國廠商在全球 HBM 產業鏈處於相對邊緣的角色，但 HBM 的研發與製造涉及複雜的製程和技術難題，包括晶圓級封裝、測試技術、設計相容性等，單靠一家記憶體晶片廠商主導突破 HBM 顯然難度巨大。

因此，為保證 2026 年 HBM 具備量產能力，就需要產業鏈上下游通力合作，將存儲廠商、晶圓代工廠、封測廠商等整合一起以實現更快速的突破。

突破 HBM 不僅關乎中國國產記憶體晶片產業的發展，更是國產 AI 產業能否突圍的重要基礎之一。

（本文已獲鉅亨網同意授權刊出）

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