英特爾添新客戶 美國防部RAMP-C擬採用18A製程和先進封裝技術

英特爾 (INTC-US) 晶圓代工 (Intel Foundry) 今 (20) 日宣布，國防工業基礎 (Defense Industrial Base，DIB) 的兩家客戶將使用英特爾晶圓代工 Intel 18A 製程和先進封裝技術，為美國國防部提供商業和 DIB 產品的原型開發與量產。文／鉅亨網

英特爾 (INTC-US) 晶圓代工 (Intel Foundry) 今 (20) 日宣布，國防工業基礎 (Defense Industrial Base，DIB) 的兩家客戶將使用英特爾晶圓代工 Intel 18A 製程和先進封裝技術，為美國國防部提供商業和 DIB 產品的原型開發與量產。

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國防工業基礎 (Defense Industrial Base，DIB) 的兩家客戶將使用英特爾晶圓代工 Intel 18A 製程和先進封裝技術。（圖／123RF）[/caption]

英特爾指出，國防工業基礎 (DIB) 客戶 Trusted Semiconductor Solutions 和 Reliable MicroSystems，成為「快速保證微電子原型 - 商業計畫」(Rapid Assured Microelectronics Prototypes-Commercial，RAMP-C) 第三階段成員。

該計畫隸屬於美國國防部研究與工程副部長辦公室 (Office of the Under Secretary of Defense for Research and Engineering，OUSD R&E) 的 Trusted & Assured Microelectronics(T&AM) 計畫。RAMP-C 計畫經 S²MARTS OTA(Strategic & Spectrum Missions Advanced Resilient Trusted Systems Other Transaction Authority) 授予。

英特爾晶圓代工副總裁暨航太、國防與政府業務事業群總經理 Kapil Wadhera 表示，公司非常歡迎 Trusted Semiconductor Solutions 和 Reliable MicroSystems 加入英特爾與美國國防部合作的 RAMP-C 計畫。這次合作將推動領先、安全的半導體解決方案，對於國家安全、經濟成長和技術領導地位至關重要。同時也對英特爾晶圓代工在支持美國國防方面扮演關鍵角色感到自豪，期待與最新加入的 DIB 客戶密切合作，利用領先的 Intel 18A 技術實現他們的創新。

美國國防部研究與工程副部長辦公室 T&AM 計畫經理 Catherine Cotell 博士表示，RAMP-C 計畫持續推動先進微電子技術的發展，以提供美國國防部和商業應用，並支援美國領先的半導體設計和製造，以加強國家安全。

在 RAMP-C 計畫中，英特爾晶圓代工協助戰略客戶、智慧財產權 (IP)、電子設計自動化 (EDA) 和設計服務供應商，縮短英特爾晶圓代工領先技術的設計時間。

英特爾晶圓代工及其生態系提供即可使用解決方案，為 DIB 客戶提供最新製程技術和先進封裝能力，協助設計、測試和製造先進晶片。

協助 DIB 客戶提前取得先進半導體技術是滿足國防工業對關鍵尺寸、重量和功率需求的重點。Intel 18A 是英特爾自 2011 年將鰭式場效電晶體 (FinFET) 導入量產以來最重要的電晶體創新，整合了英特爾全新 PowerVia 背部供電技術和 RibbonFET 環繞式閘極 (GAA) 技術，顯著改善每瓦效能和密度。

此外，DIB 客戶還能利用英特爾晶圓代工的先進封裝技術，如嵌入式多晶片互連橋接 (Embedded Multi-die Interconnect Bridge，EMIB)，為異質晶片提供高互連密度，以滿足當今複雜的運算需求。

RAMP-C 計畫自 2021 年 10 月啟動至今成果卓越，英特爾晶圓代工在三個階段皆發揮了關鍵作用。

英特爾指出，公司領導技術開發、創建 IP 和生態系，並為客戶測試晶片流片做好準備，且隨著波音公司和諾斯洛普格魯曼等 DIB 首批主要客戶加入，可望擴大客戶群，為晶圓代工業務豐富 IP 和生態系解決方案，使新客戶能夠以 Intel 18A 製程技術為基礎進行設計、開發和流片。

英特爾補充，公司自 2024 年 4 月獲得該計劃獎項後，英特爾晶圓代工推動早期 DIB 產品原型的流片和測試。此階段凸顯了 Intel 18A 技術已做好量產的準備，也為廣泛測試晶片和多個商業與 DIB 產品原型流片揭開序幕。

（本文已獲鉅亨網同意授權刊出）

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