鴻海研究院聯手陽明交大 開創半導體新紀元

鴻海研究院半導體所所長暨國立陽明交通大學講座教授郭浩中及半導體所研究團隊，攜手陽明交大電子所洪瑞華教授團隊，在第四代化合物半導體的關鍵技術上取得重大突破。（圖／美聯社／達志影像）

[NOWnews今日新聞] 全球最大科技製造與服務商鴻海旗下鴻海研究院前瞻技術研發再度傳出捷報！鴻海研究院半導體所所長暨國立陽明交通大學講座教授郭浩中及半導體所研究團隊，攜手陽明交大電子所洪瑞華教授團隊，在第四代化合物半導體的關鍵技術上取得重大突破。
鴻海研究院表示，本次研究 Heteroepitaxially Grown Homojunction Gallium Oxide PN Diodes Using Ion Implantation Technologies，導入離子注入技術於異質磊晶生長的同質結氧化鎵PN二極體元件中，結果展示出優異的電性表現。氧化鎵 (Gallium Oxide, Ga2O3) 在高壓及高溫應用領域的強大潛力，為未來高功率電子元件開闢了新的可能性。
氧化鎵擁有超寬能隙（4.8 eV）、超高臨界擊穿場強（8 MV/cm）等特性，較現有的矽（Si）、碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）等材料具顯著優勢，上述特性使氧化鎵特別適用於電動車、電網系統、航空航太等高功率應用領域。
鴻海研究院表示，半導體所所長暨陽明交大講座教授郭浩中及半導體所研究團隊，攜手陽明交大電子所洪瑞華教授團隊，研究導入離子注入技術於異質磊晶生長的同質結氧化鎵PN二極體（PN diode）元件中，結果展示出優異的電性表現。
此研究的突破性技術除能大幅提升元件穩定性和可靠性，並顯著降低電阻，為未來高功率電子元件開闢新的可能性。此次傑出的研究成果，已發表於高影響力指數（impact paper）的國際頂級材料科學期刊Materials Today Advances。
Materials Today Advances在2023年的影響力指數達10.25，並在材料科學領域的SJR（Scimago Journal & Country Rank）中排名前25％，該期刊已成為促進全球科學家和工程師間知識傳播與學術交流的重要平台。
氧化鎵元件將有望成為具競爭力的電力電子元件，直接與碳化矽元件競爭。目前中國大陸、日本和美國在氧化鎵研究領域處於領先地位，其中日本已實現4英吋和6英吋氧化鎵晶圓產業化，中國大陸多家科研機構和企業也積極推進相關研究與產品開發。
鴻海表示，鴻海研究院此次的技術突破，將為台灣在全球化合物半導體產業中的領先地位增添優勢，也為未來的高壓半導體應用開創新的可能，再次證明鴻海在技術創新和產業發展上的卓越能力，期望未來在更多高壓、高溫和高頻領域中有更廣泛應用。

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