Shin-Etsu Chemical將開發用於300毫米GaN的QSTTM基板

Shin-Etsu Chemical將開發用於300毫米GaN的QSTTM基板

(中央社訊息服務20240906 12:51:16)東京--(美國商業資訊)-- Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.(TOKYO: 4063)（總部：東京；總裁：Yasuhiko Saitoh；以下簡稱「Shin-Etsu Chemical」）建立了專門用於氮化鎵(GaN)外延生長的300毫米（12英寸）QSTTM基板，並於最近開始供應樣品。 Shin-Etsu Chemical已經在出售150毫米（6英寸）和200毫米（8英寸）QSTTM基板以及這兩種直徑的GaN on QSTTM外延基板。與此同時，該公司致力於進一步增加直徑以回應客戶的強勁需求，並成功開發了300毫米（12英寸）QSTTM基板。儘管可以為GaN使用現有的矽生產線，但由於缺乏適合GaN生長的大直徑基板，GaN元件製造商無法從增加材料直徑中受惠。這款300毫米QSTTM基板使GaN外延生長不會翹曲或開裂，在矽基板上則無法做到這一點，這就顯著降低了元件成本。Shin-Etsu Chemical正在著手強化150毫米和200毫米QSTTM基板的生產設施，此外還將致力於300毫米QSTTM基板的批量生產。 由於QSTTM基板具有與GaN相同的熱膨脹係數，因此可以限制SEMI標準厚度的QSTTM基板上GaN外延層的翹曲和裂紋。這種基板材料可實現高品質、大直徑的厚GaN外延生長。許多客戶正在利用此功能評估用於功率元件、高頻元件和LED的QSTTM基板和GaN on QSTTM外延基板。儘管商業環境充滿挑戰，但客戶已進入著眼于實用性的開發階段，以因應最近對功率元件（包括資料中心電源）與日俱增的興趣。 在150毫米和200毫米系列以外新增300毫米QSTTM基板可以顯著加快GaN元件的普及。Shin-Etsu Chemical致力於透過GaN元件的社會實施，為實現能源可以得到有效利用的永續發展社會貢獻力量。請注意，該公司計畫在2024年9月4日至6日於臺灣臺北舉行的臺灣國際半導體展上展出這款300毫米QSTTM基板。*1: QSTTM基板是由Qromis（美國加州，執行長：Cem Basceri）開發的專用於GaN生長的複合材料，於2019年授權給Shin-Etsu Chemical。QSTTM是Qromis的美國商標（註冊號：5277631）。 免責聲明：本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用，煩請參照原文，原文版本乃唯一具法律效力之版本。