推最小節點DRAM晶片 SK海力士贏過三星

全球第二大記憶體晶片製造商SK海力士，記憶體技術處理方面領先三星電子一步，開發首款第六代10 奈米（1c節點）16GB DDR5 DRAM晶片，是目前世界最小節點的記憶體晶片。

編譯／高晟鈞

全球第二大記憶體晶片製造商SK海力士，記憶體技術處理方面領先三星電子一步，開發首款第六代10 奈米（1c節點）16GB DDR5 DRAM晶片，是目前世界最小節點的記憶體晶片。

更好效能和更低能耗的1c DDR5

SK海力士所推出的1c DDR5在運轉速度方面比上一代提高了11%，而電源效率也提高了9%以上。在人工智慧進步所導致的功耗增加背景下，採用1c DDR5晶片預計可以幫助高效能資料中心降低高達30%的電力成本。。

10nm級DRAM技術的微縮製程難度逐代增加，但SK海力士憑藉其1b技術，透過提高設計完成度，成為業界首家克服技術限制的公司。

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SK海力士新產品成本競爭力提升

2023年5月，三星電子宣佈在業界首次成功量產1b奈米DRAM， SK海力士也迅速跟進。 根據《韓國中央日報》報道，三星今年稍早透露，將在今年底開始量產1c DRAM，但後續消息卻是石沉大海。

高頻寬記憶體（HBM）晶片是一組DRAM，可以實現更快的資料處理，是現今人工智慧競賽中的兵家必爭之地。因此實現更小處理節點DRAM 的SK海力士可謂是在各路好漢中拔得頭籌。

SK海力士的新產品在極紫外光（EUV）的某些製程中採用了新材料，同時優化了整體EUV應用工藝，與上一代產品相比，成本競爭力有所提高。1c DDR5預計將在今年開始量產。

資料來源:Interesting Engineering

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